SiC基单层石墨烯电极

    SiC基单层石墨烯电极是在SiC基底上生长 1 个 15 x 15 mm²单层石墨烯样品。

    SiC基单层石墨烯电极是由碳（C）原子组成的晶体平面，sp²键在蜂窝晶格中结合，其中碳与三个平面内键结合，而第四个在垂直方向上是不饱和键。这种晶体结构负责石墨烯的*特性。在本产品中，石墨烯在Si端接SiC基板上形成。*形成的碳层称为界面层或缓冲层，它是绝缘的，因为它的碳原子有三分之一与SiC基板共价结合。外延石墨烯是指在界面层之上形成的碳层，具有隔离单层石墨烯典型的线性分散。

    本产品为极耐用电极，适合多种使用。如果涂覆了涂层，无论采用何种沉积技术，都可以通过强酸或碱溶液（取决于涂层性质）去除涂层，而不会影响石墨烯层。请注意，如果应用的电势高于 +2V，SiC 上的单层石墨烯可能会以电化学方式降解。

规范
覆盖率： 100%
厚度变化：< 10%="" of="" bi-layer="">
电导率类型：n型
薄板载体密度：2 x 10¹² × 5 x 10¹²厘米^-2
移动性： 1500 - 2200 厘米²/V
基板类型：4H-SIC HPSI
基板厚度：0.5 毫米
基板长度： 15 毫米
基板宽度：15 毫米
基板方向：轴上
基板电阻率范围：± 1 x 10⁵ °cm
基板微管密度（MPD）：标准
基板精加工：双面抛光 Si 面 CMP